CADモデル
製造元 onsemi MJD31T4G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
説明
onsemi MJD31T4Gの詳細は販売業者から提供されます。
3.0 A, 40 V NPN Bipolar Power Transistor
ON SEMICONDUCTOR - MJD31T4G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, D-PAK, FULL REEL
MJD Series 40 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
ON SEMI MJD31T4G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 40 V, 3-PIN DPAK
Trans GP BJT NPN 40V 5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
40V 3A NPN BJT Power Transistor DPAK
onsemi NPNTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current3 A, maximum collector-emission voltage40 V
Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:40V; Collector Emitter Voltage Max PNP:40V; Continuous Collector Current NPN:3A; Continuous Collector Current PNP:3A; Power Dissipation NPN:15W; No. of Pins:4Pins RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-252; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Case S
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント