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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi KSP92TAの詳細は販売業者から提供されます。

KSP92 Series 300 V CE Breakdown 0.5 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92

Future Electronics

PNP BJT Transistor, 300V, 500mA, 50MHz, TO-92

Onzuu

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Richardson RFPD

onsemi PNP Transistor TO-92 TH -500mA -300V

Unikeyic (ICkey)

TRANSISTOR PNP 300V 0.5A TO-92

DigiKey

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;

Farnell

250nA 300V 625mW 500mA 25@30mA10V 50MHz 500mV@20mA2mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

画像

Augswan

Farnell

TME

Future Electronics

iiiC

LZChips

Rochester Electronics

Conrad

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

KSP92TA.

在庫履歴

3か月間の傾向 : -5.32%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageTO-92

MountSurface Mount, Through Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight240.007063 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)-300 V

Collector Emitter Breakdown Voltage-300 V

Collector Emitter Saturation Voltage500 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V

Current500 mA

Current Rating-500 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V

Frequency50 MHz

Gain Bandwidth Product50 MHz

hFE Min25

Max Breakdown Voltage30 V

Max Collector Current500 mA

Max Frequency50 MHz

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation625 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityPNP

Power Dissipation625 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency50 MHz

Voltage300 V

Voltage Rating (DC)-300 V

Dimensions

Height8.77 mm

Length4.58 mm

Width3.86 mm