onsemi KSD1616AGBU

Name: onsemi KSD1616AGBU
Brand: onsemi
SKU: KSD1616AGBU

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200

$ 0.101

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Avnet	5	KSD1616AGBU	40,000	10K					0.097	7h
Newark	2	KSD1616AGBU	8,980	1	0.074	0.074	0.074	0.074	0.074
Verical	4	KSD1616AGBU	34,195	3139					0.107
Arrow Electronics		KSD1616AGBU	3,548	1	0.202	0.129	0.087	0.087	0.087
Master Electronics		KSD1616AGBU	10,000	250				0.101	0.089

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-12-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi KSD1616AGBUの詳細は販売業者から提供されます。

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200

Newark

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Semicontronic

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Digi-ic_SMART PIONEER

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

Verical

60V 750mW 1A 200@100mA2V 160MHz NPN 150mV@1A50mA +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 160MHz; Power Dissipation Pd: 750mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 200hFE; T

Farnell

画像

TME

element14 APAC

LZChips

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-92-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight179 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)120 V

Collector Emitter Breakdown Voltage60 V

Collector Emitter Saturation Voltage150 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency160 MHz

Gain Bandwidth Product160 MHz

hFE Min200

Max Collector Current1 A

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation750 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation750 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency160 MHz

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height5.33 mm

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