価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | KSA1156OSTU | 11,445 | 808 | |||||||||
| Rochester Electronics | KSA1156OSTU | 11,445 | 16h | |||||||||
| Flip Electronics | KSA1156OSTU | 43,524 | 6d | |||||||||
| Avnet | KSA1156OSTU | 0 | 2632 | 18h | ||||||||
| Microchip USA | KSA1156OSTU | 360 | 3500 | Tube | 8h |
CADモデル
製造元 onsemi KSA1156OSTU のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
関連部品
onsemiKSA1156YSTSTU
TRANS PNP 400V 0.5A TO126-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 500 mA 1 W Through Hole TO-126-3
onsemiKSA1220YSTU
Tube Through Hole PNP KSA1220 Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 300mA 5V 1.2A 1.2W 175MHz
説明
onsemi KSA1156OSTUの詳細は販売業者から提供されます。
Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
1V@ 10mA,100mA PNP 1W 7V 100¦ÌA 400V 400V 500mA TO-126-3 8mm*3.25mm*1.5mm
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
hFE Min60
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Voltage Rating (DC)-400 V