CADモデル
製造元 onsemi KSA1015YTA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiKSA1015GRTA
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, -50 V, 80 Mhz, 400 Mw, -150 Ma, 200 Rohs Compliant: Yes
onsemiFJN4303RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
説明
onsemi KSA1015YTAの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA1015 Series 50 V 150 mA Through Hole PNP Epitaxial Silicon Transistor-TO-92-3
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 400mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
General Purpose Transistor, TO-92, PNP, 50V
50V 400mW 150mA 120@2mA6V 80MHz 100mV@100mA10mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Transistor, BIPOL, PNP, -50V, TO-226AA-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:80MHz; Power
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating-150 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency80 MHz
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature125 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
PolarityPNP
Power Dissipation400 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency80 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント