onsemi IRLM220ATF

Name: onsemi IRLM220ATF
Brand: onsemi
SKU: IRLM220ATF

Power MOSFET, N-Channel, A-FET, 200 V, 1.13 A, 800 mΩ, SOT-223

EOL

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Worldway Electronics	IRLM220ATF	25,034	7	Tape & Reel		0.131	0.127	0.121	0.121	10h
Chipsmall Limited	IRLM220ATF	3,000,000	1		0.510	0.340	0.204	0.170	0.170	10h
SHENGYU ELECTRONICS	IRLM220ATF	16,619	1		0.306	0.300	0.290	0.280	0.270	3d
Fly-Wing Technology	IRLM220ATF	2,206			0.454	0.429	0.404	0.360	0.360	9h
Quest	IRLM220ATF	15			0.517	0.517	0.431	0.431	0.431	9h

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Technical Drawing1ページ6年前

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

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サプライチェーン

Country of OriginSouth Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-10-07

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2022-06-23

LTD Date2022-12-23

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

説明

onsemi IRLM220ATFの詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N-Channel, A-FET, 200 V, 1.13 A, 800 mΩ, SOT-223

onsemi

Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Avnet

MOSFET, N-CH, 200V, 1.13A, SOT-223; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.13A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.8oh; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

N-Ch/Ll/200V/1.13A/0.8Ohm@vgs=5V Rohs Compliant: Yes |Onsemi IRLM220ATF

Newark

MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT223-4

DigiKey

Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

200V 1.13A 800m´Î@5V570mA 2W 100V@250uA 8pF@25V N Channel 330pF@25V 10.3nC@5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 MOSFETs ROHS

Dasenic

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-261-4

MountSurface Mount

Number of Pins4

Number of Terminals4

Weight188 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.13 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance800 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance430 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2 W

Rds On Max800 mΩ

Rise Time24 ns

Turn-Off Delay Time6 ns

Turn-On Delay Time6 ns