CADモデル
製造元 onsemi IRFNL210BTA-FP001 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTQ2HNK60ZR-AP
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
onsemiFQNL1N50BTA
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3 / N-Channel 500 V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Diodes Inc.ZVN3320ASTOA
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 / Trans MOSFET N-CH 200V 0.1A 3-Pin E-Line T/R
説明
onsemi IRFNL210BTA-FP001の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N-Channel, B-FET, 200 V, 1 A, 1.5 Ω, TO-92L
N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 3 TO-92 Mosfet Transistor 1A 3.1W 200V 1.5Ohm
MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L / Trans MOSFET N-CH 200V 1A 3-Pin TO-92L Ammo
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supply andmotor control.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance225 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Voltage Rating (DC)200 V