onsemi HUF75652G3

Name: onsemi HUF75652G3
Brand: onsemi
SKU: HUF75652G3

Transistor MOSFET N-Channel 100 Volt 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247

$ 5.696

Production

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価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		HUF75652G3	127	30		5.398	5.011	5.011	1d
Verical		HUF75652G3	225	57		6.275	5.613	5.275
Rochester Electronics		HUF75652G3	225			5.020	4.490	4.220	3h
Newark	2	HUF75652G3	0	30		7.640	7.500	7.500
Onlinecomponents.com		HUF75652G3	0	30	Bulk	5.860	5.780	5.730

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IHS

Datasheet12ページ6年前

element14 APAC

Newark

onsemi

Farnell

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-10-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi HUF75652G3の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N-Channel 100 Volt 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Jameco

N-Channel UltraFET® Power MOSFET 100V, 75A, 8mΩ

onsemi

N-Channel 100 V 0.008 O Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-247

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

画像

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

HUF75652G3.
HUF75652G3..

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-247

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.39 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating75 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time190 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance7.585 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation515 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Elements1

Power Dissipation515 W

Rds On Max8 mΩ

Resistance8 mΩ

Rise Time195 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time80 ns

Turn-On Delay Time18.5 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height20.82 mm

Length15.87 mm

Width4.82 mm

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