onsemi HGTP12N60A4D

Name: onsemi HGTP12N60A4D
Brand: onsemi
SKU: HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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Distributor	SKU		Min
Rochester Electronics	HGTP12N60A4D	75,546				1.500	1.340	1.260	15h
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Win Source	WS-HGTP12N60A4D	1,600	30			1.797	1.540	1.540	16h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-03-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2021-07-29

LTD Date2022-01-29

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

説明

onsemi HGTP12N60A4Dの詳細は販売業者から提供されます。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Verical

600V SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

IGBT, TO-220; DC Collector Current: 54A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.7V; Power Dissipation Pd: 167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220AB; No. of Pins: 3Pins; Operating

Farnell

The HGTP12N60A4D combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.

Fairchild Semiconductor