CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
説明
onsemi FQP24N08の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 80 V, 24 A,, 60 mΩ, TO-220
Transistor, mosfet, n-Channel,80V V(Br)Dss,24A I(D),to-220 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQP24N08
Trans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
75W(Tc) 25V 4V@ 250µA 25nC@ 10V 1individualNChannel 80V 60mΩ@ 12A,10V 24A 750pF@25V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Current Rating24 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance750 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)80 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント