CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi FQP17P06の詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -17 A, 120 mΩ, TO-220
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:79W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Current Id Max:-17A; Current Temperature:25°C; Device Marking:FQP17P06; External Depth:29.03mm; External Length / Height:4.5mm; External Width:9.9mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:120mohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:79W; Power Dissipation Pd:79W; Pulse Current Idm:68A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-4V
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating-17 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Dual Supply Voltage-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance900 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation79 W
Rds On Max120 mΩ
Resistance120 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント