onsemi FQP17P06

Name: onsemi FQP17P06
Brand: onsemi
SKU: FQP17P06

P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -17 A, 120 mΩ, TO-220

$ 0.88

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FQP17P06	138,831	50				0.878	0.784	0.784	2d
Newark	2	FQP17P06	5,009	1		3.010	1.580	1.410	1.220	1.220
Verical	2	FQP17P06	4,550	50				1.482	0.974	0.939
Future Electronics		FQP17P06	15,094	25	Tube			0.920	0.880	0.835
Master Electronics		FQP17P06	4,550	50				1.259	0.828	0.761

在庫履歴

3か月間の傾向 : +34.42%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FQP17P06のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Upverter

Technical Drawing1ページ6年前

IHS

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

onsemi

在庫履歴

3か月間の傾向:

+34.42%

CADモデル

製造元 onsemi FQP17P06 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-10-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FQP17P06の詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -17 A, 120 mΩ, TO-220

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:79W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Current Id Max:-17A; Current Temperature:25°C; Device Marking:FQP17P06; External Depth:29.03mm; External Length / Height:4.5mm; External Width:9.9mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:120mohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:79W; Power Dissipation Pd:79W; Pulse Current Idm:68A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-4V

element14 APAC