onsemi FQI4N80TU

Name: onsemi FQI4N80TU
Brand: onsemi
SKU: FQI4N80TU

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω, I2PAK

$ 0.876

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor		SKU		Min
Verical	2	FQI4N80TU	846	320		0.974	0.868
Avnet		FQI4N80TU	3,000	910				15h
Rochester Electronics		FQI4N80TU	1,650		0.939	0.779	0.695	13h
Flip Electronics		FQI4N80TU	3,000					6d
Newark		FQI4N80TU	0	1K

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IHS

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onsemi

Fairchild Semiconductor

_legacy Avnet

Arrow Electronics

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-11-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2022-06-23

LTD Date2022-12-23

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FQI4N80TUの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω, I2PAK

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

IHS

MOSFET, N, TO-262; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:800V; Current, Id cont:3.9A; Resistance, Rds on:3.6ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:TO-262; Current, Idm pulse:15.6A; Pins, No. of:3; Power dissipation:3.13W; Termination Type:Through Hole; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:800V; Voltage, Vgs th max:5V

Farnell

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

画像

Conrad

Future Electronics

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-262-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.084 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.9 A

Current Rating3.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage800 V

Drain to Source Resistance3.6 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)800 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time35 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance880 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation130 W

Min Breakdown Voltage800 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation3.13 W

Rds On Max3.6 Ω

Resistance3.6 Ω

Rise Time45 ns

Turn-Off Delay Time35 ns

Turn-On Delay Time16 ns

Voltage Rating (DC)800 V

Dimensions

Height9.2 mm

Length9.9 mm

Width4.5 mm

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