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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-10-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

説明

onsemi FQD5P10TMの詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel Power MOSFET, QFET®, -100 V, -3.6 A, 1.05 Ω, DPAK

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

2.5W(Ta), 25W(Tc), 30V, 4V@250µA, 8.2nC@10V, P-Ch, 100V, 1.05Ω@1.8A,10V, 3.6A, 250pF@25V, TO-252AA, SMD, 6.73mm × 6.22mm × 2.39mm

UnikeyIC

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

画像

element14 APAC

Farnell

iiiC

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FQD5P10TM.

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.6 A

Current36 A

Current Rating-3.6 A

Drain to Source Breakdown Voltage-100 V

Drain to Source Resistance1.05 Ω

Drain to Source Voltage (Vds)-100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time30 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance250 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation25 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingDigi-Reel®

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max1.05 Ω

Rise Time70 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-2 V

Turn-Off Delay Time12 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Voltage100 V

Voltage Rating (DC)-100 V

Dimensions

Height2.517 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm