CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2011-06-01
LTD Date2011-12-01
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
関連部品
onsemiHUFA76419D3S
20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
説明
onsemi FQD30N06TMの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 60 V, 22.7 A, 45 mΩ, DPAK
N-Channel MOSFET 60V 22.7A 45mΩ@11.4A,10V 945pF@25V TO-252AA SMD 6.73mm × 6.22mm × 2.39mm
Power Field-Effect Transistor, 22.7A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22.7 A
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance945 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max45 mΩ