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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-09-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2009-12-04

LTD Date2010-06-04

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FQB9P25TMの詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel MOSFET, QFET®, -250 V, -9.4 A, 620 mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 250V, 0.62ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Mosfet, P-Ch, -250V, -9.4A, To-263-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.4A; Drain Source Voltage Vds:-250V; On Resistance Rds(On):0.48Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQB9P25TM

Newark

These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are well suited forhigh efficiency switching DC/DC converters.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FQB9P25 TM

在庫履歴

在庫履歴の傾向は利用できません

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.4 A

Current Rating-9.4 A

Drain to Source Breakdown Voltage-250 V

Drain to Source Resistance620 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)-250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time65 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance1.18 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation120 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation3.13 W

Rds On Max620 mΩ

Rise Time150 ns

Turn-Off Delay Time45 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Voltage Rating (DC)-250 V

Dimensions

Height5.08 mm