CADモデル
製造元 onsemi FQB7N65CTM のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
関連部品
STMicroelectronicsSTB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 1 Ohm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
STMicroelectronicsSTB7NK80ZT4
N-channel 800 V, 1.5 Ohm typ., 5.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronicsSTB6NK60ZT4
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
VishayIRFBC40SPBF
3.1W(Ta), 130W(Tc) 20V 4V@250µA 60nC@10V N-Ch 600V 1.2Ω@3.7A,10V 6.2A 1.3nF@25V D2PAK SMD
説明
onsemi FQB7N65CTMの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
173W(Tc) 4V@ 250µA 36nC@ 10V 1individualNChannel 650V 1.4Ω@ 3.5A,10V 1.245pF@25V D2PAK SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:7A; Resistance, Rds On:1.4ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; No. of Pins:2; Power Dissipation:173W; Voltage, Vds Max:650V; Voltage, Vgs th Max:4V
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.245 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation173 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation173 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time50 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time90 ns
Voltage Rating (DC)650 V