onsemi FQA70N10

Name: onsemi FQA70N10
Brand: onsemi
SKU: FQA70N10

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 70 A, 23 mΩ, TO-3P

$ 1.51

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min
Avnet		FQA70N10	450	30			1.550	1.393	1.393	1d
Newark	2	FQA70N10	450	30			2.000	1.980	1.980
Arrow Electronics	2	FQA70N10	1,900	1	1.720	1.478	1.478	1.435	1.435
Verical	4	FQA70N10	11,280	30			1.498	1.416	1.416
Rochester Electronics		FQA70N10	746				1.390	1.240	1.170	18m

在庫履歴

3か月間の傾向 : -4.66%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FQA70N10のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet8ページ2年前

Datasheet8ページ12年前

Newark

onsemi

Factory Futures

Farnell

在庫履歴

3か月間の傾向:

-4.66%

CADモデル

製造元 onsemi FQA70N10 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-10-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FQA70N10の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 70 A, 23 mΩ, TO-3P

onsemi

N-Channel 100 V 0.023 Ohm Through Hole Mosfet - TO-3PN

Future Electronics

MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:214W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:70A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:214W; Power Dissipation Pd:214W; Pulse Current Idm:280A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor