onsemi FJP13009H2TU

Name: onsemi FJP13009H2TU
Brand: onsemi
SKU: FJP13009H2TU

FJP13009 Series 400 V CE Breakdown 12 A NPN Power Transistor - TO-220

$ 0.859

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FJP13009H2TU	743	1		2.510	2.050	1.520	1.160	1.130
Verical	4	FJP13009H2TU	2,000	100				1.068	0.873	0.873
Arrow Electronics	2	FJP13009H2TU	695	1		1.005	1.005	0.953	0.857	0.857
Master Electronics		FJP13009H2TU	2,000	50				0.761	0.712	0.690
Onlinecomponents.com		FJP13009H2TU	2,000	50	Bulk			0.761	0.712	0.690

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-03-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

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FJP13009 Series 400 V CE Breakdown 12 A NPN Power Transistor - TO-220

Future Electronics

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

onsemi

TRANSISTOR NPN 400V 12A TO220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ ft:4MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:8; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:3V; Current Ic Continuous a Max:12A; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:6; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:100W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Switching

element14 APAC

The FJP13009 is a 700 V, 12 A NPN silicon epitaxial planar transistor. The FJP13009 is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. The FJP13009 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent power dissipation.

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