CADモデル
製造元 onsemi FGD3N60LSDTM のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボル |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-07-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTGD3HF60HDT4
STGD3HF60HD Series 600 V 4.5 A, Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-252
onsemiNGTB03N60R2DT4G
ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
STMicroelectronicsSTGD8NC60KDT4
STGD8NC60KD Series 600 V 8 A Surface Mount Short Circuit Rugged IGBT - TO-252
説明
onsemi FGD3N60LSDTMの詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IGBT, 600V, 6A, 150DEG C, 40W; Available until stocks are exhausted
IGBT, 600V, 3A, 1.2V, DPAK, Planar
FGD3N60LSD Series 600 V 6 A 40 W Surface Mount IGBT - D-PAK
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
TAPE REEL / IGBT FOR HID APPLICATION
晶体管, IGBT, 600V, 6A, 150度 C, 40W;
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provide very low conduction losses. The device is designed for applications where very low On-Voltage Drop is a required feature. Product Highlights: High Current Capability Very Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.2 V @ IC = 3A High Input Impedance
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current6 A
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current6 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation40 W
Reverse Recovery Time234 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time600 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント