価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FGD3440G2-F085 | 52,500 | 2500 | 1d | ||||||||
| Newark | FGD3440G2-F085 | 14,830 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | FGD3440G2-F085CT-ND | 369 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | FGD3440G2-F085 | 27,500 | 7d | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FGD3440G2-F085 | 0 | 625 | Bulk |
CADモデル
製造元 onsemi FGD3440G2-F085 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
説明
onsemi FGD3440G2-F085の詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 390V 26.9A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IGBT 400V 26.9A TO252AA / IGBT 400 V 26.9 A 166 W Surface Mount TO-252AA
IGBT Transistors EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
166W 26.9A 400V TO-252AA IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26.9A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel
Tape Reel / Ecospark 2 Ignition Igbt
晶体管, IGBT, 400V, 26.9A, 175度 C, 166W;
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight260.37 mg
Technical
Clamping Voltage400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Continuous Collector Current26.9 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 µs
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current26.9 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation166 W
Min Operating Temperature-40 °C
Power Dissipation166 W
Rise Time7 µs
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time5.3 µs
Turn-On Delay Time1 µs
Dimensions
Height2.517 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント