CADモデル
製造元 onsemi FDY3000NZ のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
説明
onsemi FDY3000NZの詳細は販売業者から提供されます。
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 0.6A, 700mΩ
Dual N-Channel 20 V 700 mOhm Specified PowerTrench Mosfet - SC-89-6
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 600mA 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R / MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
MOSFET, DUAL, N, SMD, SC89; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):700mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:625mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SC-89; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:600mA; Package / Case:SC-89; Power Dissipation Pd:625mW; Pulse Current Idm:1A; SMD Marking:C; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1.3V
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight32 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance60 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation446 mW
Rds On Max700 mΩ
Resistance700 MΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height700 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント