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サプライチェーン

Country of OriginSouth Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date2008-10-06

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)

説明

onsemi FDY1002PZの詳細は販売業者から提供されます。

Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET, (-1.5 V) Specified, -20V, -0.83A, 0.5Ω

onsemi

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.83A 6-Pin SC-89 T/R

Avnet Japan

Dual P-Channel 20 V 0.83 A 0.5 Ohm PowerTrench® Mosfet -SC-89-6

Future Electronics

This Dual P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to optimize the rDS(on)@VGS = –1.5 V.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.83A, SC-89-6; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -830mA; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.28ohm; Rds(on; Available until stocks are exhausted

Farnell

画像

Newark

Future Electronics

Rochester Electronics

LZChips

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDY1002PZ.

在庫履歴

データがありません

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageSOT-563

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight32 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)-830 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance1.8 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V

Element ConfigurationDual

Fall Time2.9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance135 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation625 mW

Min Breakdown Voltage-20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation446 mW

Rds On Max500 mΩ

Resistance500 mΩ

Rise Time2.9 ns

Schedule B8541210080

Turn-Off Delay Time23 ns

Turn-On Delay Time3.5 ns

Dimensions

Height700 µm

Length1.7 mm

Width1.2 mm