CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-10-09
LTD Date2021-04-09
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
関連部品
説明
onsemi FDT459Nの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 6.5A, 35mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight250.2 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance365 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time8.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.7 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm