CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
InfineonIRF7413ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
説明
onsemi FDS6680の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:11.5A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:50A; SMD Marking:FDS 6680; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:3V
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:11.5A; Resistance, Rds On:0.01ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.7V; Case Style:SOIC; Termination ;RoHS Compliant: Yes
These N Channel Logic Level MOSFET have been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. The MOSFET feature faster switching and lower gate charge than other MOSFET with comparable RDS(on) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Current Rating11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.07 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance17 mΩ
Rise Time10 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Voltage Rating (DC)30 V