onsemi FDS6675BZ

Name: onsemi FDS6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6675BZ

P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8

$ 0.412

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDS6675BZ	12,500	2500						0.325	2d
Newark	3	FDS6675BZ	6,808	5	Cut Tape		0.862	0.570	0.507	0.507
Arrow Electronics	3	FDS6675BZ	2,860	1		0.784	0.616	0.471	0.385	0.352
Verical	6	FDS6675BZ	90,000	2500						0.312
Master Electronics		FDS6675BZ	12,500	100				0.536	0.414	0.314

在庫履歴

3か月間の傾向 : -17.36%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FDS6675BZのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

element14 APAC

Datasheet6ページ25年前

Datasheet0ページ0年前

onsemi

Farnell

Future Electronics

Fairchild Semiconductor

在庫履歴

3か月間の傾向:

-17.36%

CADモデル

製造元 onsemi FDS6675BZ のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDS6675BZの詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -11A, 13mΩ

onsemi

Transistor: P-Mosfet; Unipolar; -30V; -11A; 2.5W; So8

Sensible Micro

-30 V, -11 A, 13 MILLI OHM P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Fairchild Semiconductor