データシート & ドキュメント
onsemi FDP86363-F085のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート1年前
CADモデル
製造元 onsemi FDP86363-F085 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-07-03
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
関連部品
InfineonIPP120N06S4H1AKSA2
60V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
NXP SemiconductorsBUK753R5-60E,127
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
onsemi FDP86363-F085の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
300W(Tc) N-Channel MOSFET 80V 110A 2.8mΩ@80A,10V 150nC@10V 10nF@40V TO-220-3 TH 10.67mm × 4.7mm × 16.3mm
N-Channel PowerTrench® 80V, 110A, 2.8mΩ
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM
110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.8 mΩ
Rise Time129 ns
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time38 ns