onsemi FDP33N25

Name: onsemi FDP33N25
Brand: onsemi
SKU: FDP33N25

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250 V, 33 A, 94 mΩ, TO-220

$ 1.044

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDP33N25	763	1							2d
Flip Electronics		FDP33N25	763								6d
Newark		FDP33N25	0	1		3.170	2.390	1.600	1.280	1.190
Onlinecomponents.com		FDP33N25	0	50	Bulk			2.030	1.100	1.010
Future Electronics		FDP33N25	0	1K	Tube				0.985	0.940

在庫履歴

3か月間の傾向 : -63.51%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FDP33N25のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet0ページ0年前

Datasheet8ページ21年前

Datasheet0ページ0年前

Upverter

IHS

onsemi

Farnell

在庫履歴

3か月間の傾向:

-63.51%

CADモデル

製造元 onsemi FDP33N25 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-07-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDP33N25の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250 V, 33 A, 94 mΩ, TO-220

onsemi

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Verical

N-Channel 250 V 94 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 250V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:250V; Continuous Drain Current, Id:33A; On Resistance, Rds(on):0.094ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:30V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):94mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:235W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Capacitance Ciss Typ:1640pF; Current Id Max:33A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.53°C/W; On State Resistance Max:94mohm; On State Resistance Typ:77mohm; Package / Case:TO-220; Pin Configuration:G(1),D(2)S(3); Power Dissipation Pd:235W; Power Dissipation Pd:235W; Pulse Current Idm:132A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V

element14 APAC