onsemi FDP120N10

Name: onsemi FDP120N10
Brand: onsemi
SKU: FDP120N10

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ

$ 1.18

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	FDP120N10	733	212					1.475	1.313
Rochester Electronics		FDP120N10	1,176					1.420	1.180	1.050	10h
DigiKey		FDP120N10-ND	775	1	Tube	3.300	3.300	1.493	1.123	1.043
Newark		FDP120N10	0	200					1.830	1.530
Onlinecomponents.com		FDP120N10	0	200	Bulk				1.140	1.140

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IHS

Datasheet8ページ12年前

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説明

onsemi FDP120N10の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ

onsemi

100 V, 74 A, 12 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N CH, 100V, 74A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:74A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:170W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:296A

element14 APAC

画像

Farnell

LZChips

Future Electronics

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-220

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)74 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance12 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.605 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation170 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation170 W

Rds On Max12 mΩ

Resistance12 MΩ

Rise Time105 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time39 ns

Turn-On Delay Time27 ns

Dimensions

Height16.51 mm

Length10.67 mm

Width4.83 mm

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