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サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-12-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDMS86250の詳細は販売業者から提供されます。

PT5 150V/20V Nch Power Trench MOSFET - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM

Newark

N-Channel 150 V 25 mO 25 nC Shielded Gate PowerTrench Mosfet - PQFN-8

Future Electronics

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 30A, 25mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 150V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 150V, 30A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.9V; Powe

Farnell

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

画像

element14 APAC

Future Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : -8.01%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight68.1 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage150 V

Drain to Source Resistance25 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)150 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time4.2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.33 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation96 W

Min Breakdown Voltage150 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max25 mΩ

Rise Time4.3 ns

Turn-Off Delay Time22 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length5 mm

Width6 mm