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サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-03-25

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2022-01-08

LTD Date2022-07-08

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

onsemi FDMD8580の詳細は販売業者から提供されます。

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 82A, 4.6mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

Verical

MOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET

Avnet

MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56

Augswan

This device includes two 80V N-Channel MOSFETs in a dual power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : Restocked

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight94.85095 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)82 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance4.6 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)80 V

Element ConfigurationDual

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance5.875 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation59 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation2.3 W

Rds On Max4.6 mΩ

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time31 ns

Turn-On Delay Time25 ns

Dimensions

Height800 µm