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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2015-03-06

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

説明

onsemi FDMD85100の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 48A 8-Pin PQFN T/R

Avnet Japan

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V 48A, 9.9mΩ

onsemi

100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET - 8LD, PQFN, JEDEC, 5.0X6.0MM, POWERCLIP DUAL, SYMMETRICAL HAL

Newark

MOSFET, N-CH, 100V, 48A, QFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 48A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.1

Farnell

This device includes two 100V N-Channel MOSFETs in a dual Power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS Drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : -0.54%

CADモデル

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代替部品

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技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight94.85095 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)48 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance9.9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)100 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.23 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation2.2 W

Rds On Max9.9 mΩ

Dimensions

Height800 µm