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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2014-01-28

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

説明

onsemi FDMD84100の詳細は販売業者から提供されます。

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 21A, 20mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin Power 3.3 EP T/R

Verical

MOSFET FET 100V 20.0 MOHM PQFN

Future Electronics

MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5

Augswan

TAPE REEL / PT5 100/20V Symmetrical Dual Common Source

Newark

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229

IHS

This package integrates two N-Channel devices connected internally in common-source configuration. This enables very low package parasitics and optimized thermal path to the common source pad on the bottom. Provides a very small footprint (3.3 x 5 mm) for higher power density.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight153.4014 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)7 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance20 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)100 V

Element ConfigurationDual

Fall Time2.8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance980 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation23 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation2.1 W

Rds On Max20 mΩ

Rise Time2.6 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time14 ns

Turn-On Delay Time8.4 ns

Dimensions

Height800 µm

Length5.1 mm

Width3.4 mm