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サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2014-03-03

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2027-01-10

LTD Date2027-07-10

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 months ago)

説明

onsemi FDMC86259Pの詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -13A, 107mΩ

onsemi

Single P-Channel 150 V 2.3 W 32 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 33-8

Future Electronics

MOSFET, P-CH, -150V, -13A, POWER 33-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.087ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs

element14 APAC

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

画像

Newark

Farnell

Future Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : -59.43%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight152.7 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage-150 V

Drain to Source Resistance107 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)-150 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time9.6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance2.045 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation62 W

Min Breakdown Voltage150 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.3 W

Rds On Max107 mΩ

Rise Time3.3 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time22 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Dimensions

Height800 µm

Length3.4 mm

Width3.4 mm