CADモデル
製造元 onsemi FDMC8622 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTD10NF10T4
N-channel 100 V, 0.115 Ohm typ., 13 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPG16N10S461ATMA1
100V, Dual N-Ch, 61 mΩ max, Automotive MOSFET, dual SS08 (5x6), OptiMOS™-T2, PG-TDSON-8, RoHS
説明
onsemi FDMC8622の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mΩ
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
2.5W(Ta)，31W(Tc) 20V 4V@ 250µA 7.3nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 56mΩ@ 4A,10V 4A，16A 402pF@50V MLP-8 SMD mount 3.3mm*3.3mm*800μm
MOSFET, N CH, 100V, 16A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0437ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.9V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight200 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance56 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance402 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation31 W
Rds On Max56 mΩ
Rise Time1.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.9 V
Turn-Off Delay Time10.2 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm