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サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-10-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FDMC86012の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 88A, 2.7mΩ

onsemi

TAPE REEL/RP5 30V/12V Nch Power Trench MOSFET

Newark

N-Channel 30 V 23A (Ta) 2.3W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount Power33

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

Richardson RFPD

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Jak Electronics

2.3W(Ta), 54W(Tc) 12V 1.5V@250µA 38nC@4.5V 1 N-Ch 30V 2.7mΩ@23A,4.5V 23A 5.075nF@15V PQFN-8 SMD 3.3mm × 3.3mm × 800μm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

IHS

This device has been designed specifically to improve the efficiency of DC-DC converters. Using new techniques in MOSFET construction, the various components of gate charge and capacitance have been optimized to reduce switching losses. Low gate resistance and very low Miller charge enable excellent performance with both adaptive and fixed dead time gate drive circuits. Very low rDS(on) has been maintained to provide a sub logic-level device.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : +97.28%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight152.7 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)23 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance2.7 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance5.075 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation54 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.3 W

Rds On Max2.7 mΩ

Rise Time11 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time43 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Dimensions

Height800 µm

データシート & ドキュメント

onsemi FDMC86012のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。