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サプライチェーン

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-08-12

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2024-04-06

LTD Date2024-10-06

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FDMC8030の詳細は販売業者から提供されます。

Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 12A, 10mΩ

onsemi

Dual N-Channel 40 V 1.9 W 30 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 33-8

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 40V 12A 8-Pin Power 33 T/R

Avnet Japan

onsemi N-Channel MOSFET PowerTrench, Vds=40V, 12A, Power33 Package, SMD, 8-Pin

UnikeyIC

MOSFET Array, Dual N Channel, 40 V, 12 A, 10 Milliohms, Power 33, 8 Pins

Avnet

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R / MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP

Win Source

This device includes two 40V N-Channel MOSFETs in a dual Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) package. The package is enhanced for exceptional thermal performance.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 12A, POWER 33-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

画像

Future Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDMC8030.

在庫履歴

3か月間の傾向 : -90.74%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals4

Weight196 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)12 A

Drain to Source Breakdown Voltage40 V

Drain to Source Resistance10 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Element ConfigurationDual

Fall Time3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance1.975 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.9 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation14 W

Rds On Max10 mΩ

Rise Time3 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.5 V

Turn-Off Delay Time19 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Dimensions

Height800 µm

Length3 mm

Width3 mm