CADモデル
製造元 onsemi FDMC7200 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
InfineonIRFTS8342TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
説明
onsemi FDMC7200の詳細は販売業者から提供されます。
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 12mΩ and 23.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin Power 33 EP T/R
MOSFET 2-Channel N-Ch, 20V 30V, 6A 8A, 23.5mΩ@6A,10V, Qg 10nC@10V, Coss 660pF@15V, DFN, SMD, 3mm × 3mm × 800μm
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance660 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max23.5 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3 mm
Width3 mm