onsemi FDMC3612

Name: onsemi FDMC3612
Brand: onsemi
SKU: FDMC3612

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 12A, 110mΩ

$ 0.311

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDMC3612	1,327	1		0.968	0.609	0.401	0.282	0.282
Verical	3	FDMC3612	2,294	891					0.389	0.346
Future Electronics		FDMC3612	24,000	3K	Tape & Reel					0.410
Rochester Electronics		FDMC3612	22,287					0.374	0.311	0.277	29m
DigiKey	3	FDMC3612CT-ND	14,445	1	Cut Tape	1.340	0.844	0.557	0.393	0.393

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JRH Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-07-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDMC3612の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 12A, 110mΩ

onsemi

N-Channel 100 V 12 A 110 mOhm Surface Mount PowerTrench® MOSFET-MLP 3.3 x 3.3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

Semicontronic

MOSFET, N CH, 100V, 16A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor