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サプライチェーン

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-04-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

説明

onsemi FDMA910PZの詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -9.4A, 20mΩ

onsemi

Single P-Channel 20 V 34 mOhm 29 nC 2.4 W PowerTrench SMT Mosfet - MICROFET-2x2

Future Electronics

This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance and zener diode protection against ESD. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P-CH, 20V, 6MLP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-500mV; Power Dissipation Pd:2.4W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Farnell

画像

Farnell

LZChips

Conrad

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDMA910PZ.

在庫履歴

3か月間の傾向 : -14.18%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.4 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance20 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)-20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time103 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance2.805 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.4 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation900 mW

Rds On Max20 mΩ

Rise Time19 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-500 mV

Turn-Off Delay Time135 ns

Turn-On Delay Time9.4 ns

Dimensions

Height850 µm

Length2 mm

Width2 mm