CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
関連部品
Diodes Inc.DMT6016LSS-13
DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
onsemiFDD5810-F085
60V, 36A, 27M Ohm, Nch, Logic Level Trench Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDD5810_F085
説明
onsemi FDMA86551Lの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel Power Trench Mosfet - 6LD,MLP,DUAL,NON-JEDEC,2MM SQUARE,SINGLE TIED DAP
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 7.5A, 23mΩ
Single N-Channel 60 V 23 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - MicroFET 2x2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 60V, 7.5A, MICROFET-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The ow rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation900 mW
Rds On Max23 mΩ
Rise Time1.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time7.3 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Width2 mm