CADモデル
製造元 onsemi FDMA7628 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-05-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
関連部品
VishaySIA448DJ-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 12A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuo
VishaySI7232DN-T1-GE3
SI7232DN-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,24 A,20V,8-PIN POWERPAK 1212
Diodes Inc.DMN2013UFDE-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
説明
onsemi FDMA7628の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14.5mΩ
Single N-Channel 20 V 1.9 W 17.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICROFET-2x2
1.9W(Ta) 8V 1V@ 250µA 17.5nC@ 4.5 V 1individualNChannel 20V 14.5mΩ@ 9.4A,4.5V 9.4A 1.68nF@10V MICROFET-6 SMD mount 2mm*2mm*750μm
This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process to optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET leadframe.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance14.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.68 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max14.5 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm