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サプライチェーン

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-09-27

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2024-06-22

LTD Date2024-12-22

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

説明

onsemi FDMA510PZの詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -7.8A, 30mΩ

onsemi

MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET / Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin WDFN EP T/R

Win Source

FDMA510PZ Series 20 V 30 mOhm Single P-Channel PowerTrench Mosfet MicroFET 2x2

Future Electronics

MLP6 2X2 , -20V,-7.8A,30m ohm,SINGLE, PCH POWER MOSFET

Master Electronics

MOSFET,P CH,20V,7.8A,MICROFET2X2; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV; Power Dissipation Pd:2.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011)

Farnell

This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

Fairchild Semiconductor

画像

Farnell

LZChips

Conrad

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDMA510PZ.

在庫履歴

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CADモデル

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代替部品

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技術仕様

Physical

Contact PlatingGold

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)7.8 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance30 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)-20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time64 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance1.48 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.4 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-700 mV

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation2.4 W

Rds On Max30 mΩ

Resistance30 MΩ

Rise Time9 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-700 mV

Turn-Off Delay Time125 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Dimensions

Height800 µm

Length2 mm

Width2 mm