onsemi FDG6332C

Name: onsemi FDG6332C
Brand: onsemi
SKU: FDG6332C

Transistor MOSFET N/P-Channel 20 Volt 0.7A/0.6A 6-Pin SC-70

EOL

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDG6332C	14,281	589						6h
Flip Electronics		FDG6332C	425,281							6d
Newark	2	FDG6332C	0	3K	Cut Tape				0.251
Farnell	3	FDG6332C	0	5	Cut Tape	0.690*	0.306*	0.256*	0.232*	1d
element14 APAC	2	FDG6332C	0	5	Cut Tape	0.288*	0.256*	0.190*	0.179*	17h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FDG6332Cのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ2年前

Datasheet8ページ0年前

Future Electronics

element14 APAC

Upverter

onsemi

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

CADモデル

製造元 onsemi FDG6332C のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA		3D	ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date2001-10-11

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2022-06-21

LTD Date2022-12-21

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FDG6332Cの詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N/P-Channel 20 Volt 0.7A/0.6A 6-Pin SC-70

Jameco

Dual N & P-Channel 20 V 300 mOhm PowerTrench Mosfet SC70-6

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

MOSFET, DUAL, NP, SMD, SC70-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:1.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

element14 APAC

The N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive TSSOP-8 and SSOP-6 packages are impractical.

Fairchild Semiconductor