onsemi FDD8586

Name: onsemi FDD8586
Brand: onsemi
SKU: FDD8586

Trans Mosfet N-ch 20V 35A 3PIN TO-252

$ 0.395

Obsolete

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Distributor		SKU		Min
Verical	3	FDD8586	2,500	789				0.439	0.391
Rochester Electronics		FDD8586	78,625				0.423	0.351	0.313	21h
Avnet		FDD8586	0	2500						2d
Farnell		FDD8586	0	1	0.924*	0.924*	0.598*	0.517*	0.517*	21h
element14 APAC		FDD8586	0	1	0.931*	0.931*	0.601*	0.519*	0.519*	10h

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IHS

Datasheet7ページ20年前

Farnell

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-09-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2011-03-02

LTD Date2011-09-02

説明

onsemi FDD8586の詳細は販売業者から提供されます。

TRANS MOSFET N-CH 20V 35A 3PIN TO-252

Avnet

MOSFETs 20V,35A,5.5 OHM, NCH, DPAK, PO

Mouser

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 20V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:77W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-252; Current Id Max:35A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:77W; Power Dissipation Pd:77W; Pulse Current Idm:354A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1.2V

element14 APAC