onsemi FDD7N60NZTM

Name: onsemi FDD7N60NZTM
Brand: onsemi
SKU: FDD7N60NZTM

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 5.5 A, 1.25 Ω, DPAK

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	FDD7N60NZTM	2,500	521							20h
Flip Electronics	FDD7N60NZTM	2,500								7d
Microchip USA	FDD7N60NZTM	396	3K	Tray					0.928	11h
Component Stockers USA	FDD7N60NZTM	425			0.550	0.550	0.520	0.520	0.520	1d
Win Source	WS-FDD7N60NZTM	6,700	85				0.593	0.396	0.396	19h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-09-26

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

説明

onsemi FDD7N60NZTMの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 5.5 A, 1.25 Ω, DPAK

onsemi

MOSFET, N-CH, 600V, 5.5A, TO-251AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1.05oh; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

N-CHANNEL UNIFET II MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

画像

element14 APAC

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メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)5.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance1.25 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance730 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation90 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation90 W

Rds On Max1.25 Ω

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time40 ns

Turn-On Delay Time17.5 ns

Dimensions

Height2.39 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

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