onsemi FDD3510H

Name: onsemi FDD3510H
Brand: onsemi
SKU: FDD3510H

Trans Mosfet N/p-ch 80V 4.3A/2.8A 5-PIN(4+TAB) Dpak T/r / Mosfet N/p-ch 80V 4.3A/2.8A Dpak

$ 0.666

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	FDD3510H	1,600	421				0.740	0.660
Rochester Electronics		FDD3510H	28,590				0.713	0.592	0.528	2h
element14 APAC	2	FDD3510H	0	5	Cut Tape	1.625*	1.262*	0.892*	0.892*	15h
Farnell	2	FDD3510H	0	5	Cut Tape	1.636*	1.273*	0.894*	0.894*	1h
Microchip USA		FDD3510H	371	3500					0.415	20h

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IHS

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Upverter

Future Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-05-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)

LTB Date2021-12-24

LTD Date2021-12-24

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

説明

onsemi FDD3510Hの詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R / MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Win Source

Transistor MOSFET Array N/P-CH 80V 13.9A 5-Pin DPAK T/R

Avnet

Dual N/P-Channel 80 V 80 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-5

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 80V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, N/P-CH, 80V, 13.9A, TO-252 -5; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 13.9A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage

Farnell

These dual N and P-Channel enhancement mode Power MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

画像

Farnell

iiiC

Rochester Electronics

Future Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDD3510H.

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-252

MountSurface Mount

Number of Terminals4

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)4.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance80 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Fall Time5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance800 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation35 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation1.3 W

Rds On Max80 mΩ

Resistance80 MΩ

Rise Time3 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time25 ns

Dimensions

Height2.517 mm

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