onsemi FDC8886

Name: onsemi FDC8886
Brand: onsemi
SKU: FDC8886

N-Channel Power Trench® MOSFET, 30 V, 6.5 A, 23 mΩ

$ 0.181

Production

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価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	FDC8886	1,570	1		0.154	0.154	0.154	0.154	0.154
Verical	2	FDC8886	1,570	38				0.154	0.154	0.154
Rochester Electronics	2	FDC8886	94,596					0.224	0.186	0.166	18h
DigiKey	3	FDC8886CT-ND	19,679	1	Cut Tape	0.930	0.578	0.375	0.259	0.259
Flip Electronics		FDC8886	9,000								7d

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Technical Drawing1ページ5年前

Master Electronics

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

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説明

onsemi FDC8886の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power Trench® MOSFET, 30 V, 6.5 A, 23 mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA

IHS

Single Pt8 N 30/20V Ssot6 |Onsemi FDC8886

Newark

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Bettlink

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on) switching performance.

Fairchild Semiconductor

画像

LZChips

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageSOT-23-6

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight36 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance23 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time1 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance465 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.6 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation1.6 W

Rds On Max23 mΩ

Rise Time1 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time11 ns

Turn-On Delay Time5 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length3 mm

Width1.7 mm