CADモデル
製造元 onsemi FDC634P のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi FDC634Pの詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -3.5A, 80mΩ
Transistor MOSFET P-Channel 20 Volt 3.5A 6-Pin SuperSOT
P-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.
MOSFET P CH 20V 3.5A SSOT6; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.5A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -800mV; Po
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:3.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:800Mv; Power Dissipation:1.6W; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDC634P.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating-3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance779 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-800 mV
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-800 mV
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント