CADモデル
製造元 onsemi FDB2552 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiHUFA75842S3S
230W(Tc) 4V@ 250µA 175nC@ 20V 1individualNChannel 150V 42mΩ@ 43A,10V 2.73pF@25V D2PAK SMD mount
説明
onsemi FDB2552の詳細は販売業者から提供されます。
onsemi N-Ch PowerTrench MOSFET Vds=150V Id=37A D2PAK (TO-263) SMD 3-Pin
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36mΩ
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 37 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Surface Mount
150 V, 37 A, 36 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, SMD, TO-263AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:16A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-263AB; Termination Type:SMD
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current5 A
Current Rating37 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max36 mΩ
Resistance36 MΩ
Rise Time29 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage150 V
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント