CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTD4NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A IPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD3NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
onsemiFQU2N60CTU
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK
説明
onsemi FCU2250N80Zの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω, IPAK
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK / N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 2.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Linghting, ATX power and industrial power applications.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance2.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance585 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation39 W
Rds On Max2.25 Ω
Resistance2.25 Ω
Rise Time6.7 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height9.85 mm
Length6.57 mm
Width2.3 mm